国际标准期刊号: 2161-0398
Nejla Chihaoui、Besma Hamdi、Abdelhamid Ben Salah 和 Ridha Zouari
本文旨在通过振动研究、热分析和介电测量研究 Zn(C7H5NO4)Cl2.H2O 化合物的合成、晶体结构和性能。单晶X射线衍射研究表明,所研究的化合物根据以下晶格参数在空间群Pnna的斜方晶系中结晶:a=13.8816(4) Å, b=10.3602(3) Å, c=7.8967(2) ) Å 和 Z=4。分子中关键官能团的存在已通过傅里叶变换红外(FT-IR)分析得到证实。通过 TGA 和 DSC 研究,该样品的热行为在 345 和 386K 时表现出两个异常现象。氢键对于结构的稳定起着重要作用。这种平行置换结构也有π-σ非共价相互作用的贡献(CH基团和CO基团与苯环之间的CH…π和CO…π堆积)。二吡啶酸(2,6-吡啶二甲酸)配体通过吡啶环的氮原子、羧基的两个氧原子和两个氯原子作为三齿配体与Zn(II)离子配位。晶体结构中分子间相互作用的赫什菲尔德表面分析已用于检查分子形状。13C 固态 CP/MAS-NMR 应用的特征显示出五个各向同性共振,证实了 XRD 确定的结构。测量其介电性能随温度和频率在 298-418 K 和 209 Hz-5 MHz 范围内的变化。通过拟合由电路元件组成的等效电路模型来分析 Cole-Cole(Z' 与 Z'')图;晶粒、晶界、电极-固体界面极化和瓦尔堡电阻。每个电路元件由并联组合电阻(R)和恒相位元件(CPE)构成。除了弛豫时间随温度变化的活化能之外,还通过阻抗技术研究了晶粒电导率以及取决于温度的活化能,显示出两种异常现象,这些异常现象也由 TGA 和 DSC 检测到。它们不仅可以通过 343K 时等效位点之间的相变和重新取向跳跃来解释,还可以通过结构中水分子在 388K 时的消失来解释。由电路元件组成;晶粒、晶界、电极-固体界面极化和瓦尔堡电阻。每个电路元件由并联组合电阻(R)和恒相位元件(CPE)构成。除了弛豫时间随温度变化的活化能之外,还通过阻抗技术研究了晶粒电导率以及取决于温度的活化能,显示出两种异常现象,这也由 TGA 和 DSC 检测到。它们不仅可以通过 343K 时等效位点之间的相变和重新取向跳跃来解释,还可以通过结构中水分子在 388K 时的消失来解释。由电路元件组成;晶粒、晶界、电极-固体界面极化和瓦尔堡电阻。每个电路元件由并联组合电阻(R)和恒相位元件(CPE)构成。除了弛豫时间随温度变化的活化能之外,还通过阻抗技术研究了晶粒电导率以及取决于温度的活化能,显示出两种异常现象,这也由 TGA 和 DSC 检测到。它们不仅可以通过 343K 时等效位点之间的相变和重新取向跳跃来解释,还可以通过结构中水分子在 388K 时的消失来解释。每个电路元件由并联组合电阻(R)和恒相位元件(CPE)构成。除了弛豫时间随温度变化的活化能之外,还通过阻抗技术研究了晶粒电导率以及取决于温度的活化能,显示出两种异常现象,这也由 TGA 和 DSC 检测到。它们不仅可以通过 343K 时等效位点之间的相变和重新取向跳跃来解释,还可以通过结构中水分子在 388K 时的消失来解释。每个电路元件由并联组合电阻(R)和恒相位元件(CPE)构成。除了弛豫时间随温度变化的活化能之外,还通过阻抗技术研究了晶粒电导率以及取决于温度的活化能,显示出两种异常现象,这也由 TGA 和 DSC 检测到。它们不仅可以通过 343K 时等效位点之间的相变和重新取向跳跃来解释,还可以通过结构中水分子在 388K 时的消失来解释。也可通过 TGA 和 DSC 检测到。它们不仅可以通过 343K 时等效位点之间的相变和重新取向跳跃来解释,还可以通过结构中水分子在 388K 时的消失来解释。也可通过 TGA 和 DSC 检测到。它们不仅可以通过 343K 时等效位点之间的相变和重新取向跳跃来解释,还可以通过结构中水分子在 388K 时的消失来解释。