物理化学与生物物理学杂志
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抽象的

银辅助化学刻蚀硅纳米线的氧化剂浓度与形貌特性的相关性

Besma Moumni* 和 Abdelkader Ben Jaballah

在这项工作中，建立了氧化剂浓度与通过两步银辅助化学蚀刻方法形成的硅纳米线的形态变化之间的相关性。结果表明，在相对 H2O2 浓度低于 2% 的情况下蚀刻的样品会出现纹理化的硅表面。然而，通过扫描电子显微镜研究了硅纳米线在不同H2O2浓度（5%、7%和8%）下的动力学和动力学。我们发现蚀刻的硅纳米线的厚度作为时间的函数遵循线性规律。硅纳米线的长度不仅取决于 H2O2 浓度，而且是克服长度饱和所必需的关键。我们还证明，由于六氟化硅离子 (SiF6)2- 的生成，硅面银颗粒的氧化速率可以限制线形成的动态。