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使用电子束蒸发方法开发用于 MEMS 应用的多晶扩散压敏电阻

Monika Poonia、Sumita Choudhari、Sheba Jamil、Sanjeev K. Gupta、Jitendra Singh、J. Akhtar

本文介绍了一种沉积多晶硅 (Poly-Si) 薄膜以制造扩散压敏电阻的替代实验技术。在此过程中，使用电子束蒸发方法在高真空下以受控沉积速率在氧化 p 型 Si <100> 晶圆床上沉积多晶硅薄膜 (2000Å)。使用扫描电子显微镜 (SEM) 分析多晶硅的晶粒尺寸，发现晶粒尺寸约为 45 至 50 nm。硼的热掺杂是在卧式石英炉中在不同温度、固定时间下进行的。使用四种探针技术测量所有样品的薄层电阻。沉积薄膜的方块电阻随着掺杂温度的升高而不断降低，这本身就类似于传统多晶硅的性质。本文制作了扩散压敏电阻器，并对它们的测量值进行了分析和报告。所开发的实验工艺在多晶硅薄膜的实现中提供了足够的产量、低成本和高重复性，而开发的扩散电阻技术可用于电子传感器、CMOS工艺中的栅极金属等的制造。