理论与计算科学杂志

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国际标准期刊号: 2376-130X

抽象的

氮气传感器用多孔硅的电性能

马哈茂德·巴哈尔、哈米德·埃斯坎达里和纳吉·沙班

多孔硅(PSi)在气体传感器件中的应用在过去十年中引起了相当大的关注。这项工作考虑了通过电化学蚀刻制备的 PSi 层的电学特性。我们发现,为了更好地了解 PSi 表面的吸收特性,有必要了解 PSi 形态如何取决于蚀刻参数。PSi的物理结构,即孔隙率和孔径分布可以通过改变阳极氧化过程中的氢氟酸浓度、电流密度、阳极氧化长度和蚀刻时间来控制。我们描述了我们的气体传感器测试系统,并研究了不同制造条件下 N2 气体中 PSi 层(p 型)的电学行为。结果表明,随着N2气体的吸附,电流密度显着增加。

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