国际标准期刊号: 2155-983X
TVM Sreekanth 和 GR Dillip
石墨氮化碳(g-C3N4)是一种新型的无金属聚合物半导体,由于其易于合成、改性、环境友好、合适的带隙、更高的光捕获、独特的特性而受到广泛应用的广泛关注。电子特性和物理化学特性。由于这些特性,g-C3N4 被认为是一种有前途的有机污染物降解和水分解光催化剂。通过在氮气气氛中对原始 g-C3N4 进行简单的后退火处理,设计出具有改进光催化活性的富氮石墨氮化碳 (Ng-C3N4)。热退火没有改变富氮 g-C3N4 (Ng-C3N4) 的晶体结构、振动模式或形态。然而,它通过加宽 X 射线衍射(XRD)主峰来降低结晶度,并由于碳空位的形成而增加表面积和介孔性质。漫反射光谱表明,与原始 g-C3N4 相比,退火后的 g-C3N4 的带隙从 2.82 eV 降低至 2.77 eV。退火后的 Ng-C3N4 中氮含量的增加通过 X 射线光电子能谱 (XPS) 进行定量,该光谱也用于检查碳空位的形成。光电流和电化学阻抗谱测量表明,退火后的N g-C3N4 比原始 g-C3N4 具有更高的光吸收能力。研究了样品在紫外光照射下降解结晶紫(CV)的光催化性能。