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抽象的

超声处理对多孔硅拉曼峰移影响的研究

亚斯明·扎伊丹·达乌德

在这项工作中，采用超声波增强化学蚀刻来制造多孔硅层。使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制备多孔硅层。研究发现，超声波改善了p型硅上PS层的结构。超声波增强化学刻蚀技术被用来制造发光多孔硅（PS）材料。通过应用超声波增强刻蚀，可以制造具有更高品质因数的PS微腔。 。该效应归因于自由空穴载流子浓度的有效变化。对(111)取向的Pp型晶体硅(c-Si)和PS样品进行拉曼散射测量。PS 中光学声子的拉曼散射显示声子频率的红移，扩大和增加拉曼模式的不对称模型以增加美国的力量。利用声子限制模型，估计30W和50W的硅纳米晶的平均直径分别为9nm和10nm。计算了拉曼线的宽度、位移和不对称性之间的关系，并且与现有的实验数据非常吻合。