物理化学与生物物理学杂志

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国际标准期刊号: 2161-0398

抽象的

在中波红外光谱域工作的 InAs/GaSb 超晶格光电二极管

Christol P、Delmas M、Rossignol R 和 Rodriguez JB

InAs/GaSb超晶格(SL)是一种很有前景的高性能红外探测器材料系统。电学和光学特性直接由 InAs/GaSb 电池的成分和周期性决定。特别是,在每个 SL 周期中具有不同 InAs 与 GaSb 厚度比的几种结构可以以相同的截止波长为目标,并表现出不同类型的导电性(n 型或 p 型)。因此,通过使用特定的SL周期,可以设计中波红外pin光电二极管而无需有意掺杂结构。报告了通过分子束外延制造的此类器件的电学和光电特性。

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